全文获取类型
收费全文 | 78篇 |
免费 | 23篇 |
国内免费 | 2篇 |
出版年
2024年 | 1篇 |
2023年 | 1篇 |
2022年 | 3篇 |
2021年 | 2篇 |
2019年 | 4篇 |
2018年 | 2篇 |
2017年 | 3篇 |
2016年 | 1篇 |
2015年 | 1篇 |
2014年 | 4篇 |
2013年 | 4篇 |
2012年 | 2篇 |
2011年 | 8篇 |
2010年 | 4篇 |
2009年 | 8篇 |
2007年 | 4篇 |
2006年 | 5篇 |
2005年 | 6篇 |
2004年 | 3篇 |
2003年 | 2篇 |
2002年 | 2篇 |
2001年 | 2篇 |
2000年 | 3篇 |
1999年 | 2篇 |
1998年 | 4篇 |
1997年 | 3篇 |
1996年 | 3篇 |
1995年 | 6篇 |
1994年 | 3篇 |
1993年 | 2篇 |
1992年 | 1篇 |
1991年 | 1篇 |
1990年 | 3篇 |
排序方式: 共有103条查询结果,搜索用时 15 毫秒
31.
高功率激光器工作时,由于谐振腔反射镜上的光强分布不均匀,会导致镜面温度不均匀,从而造成镜面的角向偏转,致使激光器光轴发生偏转,严重影响输出光束质量,甚至造成不出光。文中主要从实验研究了CO2激光器虚共焦腔凸面镜失调对激光器输出光束质量的影响,实验结果表明,当凸面镜失调角接近于由理论计算而得的失调临界角时,输出光斑约为半个圆环,与理论分析非常符合,当凸面镜失调角达到约为失调临界角的4.5倍时,完全停止振荡。 相似文献
32.
在建立的加工设备机电系统精确动力学模型及对模型参数实时辨识的基础上[1],建立柔性加工设备机电系统的状态监测模型,包括BAYES故障检测、突发故障检测及故障分析与定位等;同时利用Kul-back信息距离和多层递阶AR模型实现系统的状态与故障预警。在加工设备上的实验表明模型可行有效,它能排除柔性多变工况、时变性及随机干扰对监测与预警功能的影响,提高其鲁棒性和自适应能力。 相似文献
33.
采用表面形貌技术对陶瓷磨削表面残余应力进行测试研究,对表面粗糙度曲线经过数据截取、滤波以及规范化处理后可得到表面挠度曲线,认为,此方法与X射线衍射法相比测试结果较接近,是测试残余应力的有效方法;其数据处理过程是保证测试精度的关键;挠度变化是个渐变的过程。 相似文献
34.
提出了一种新的光电开关电路设计形式(差分形式的光电开关电路),解决了在低电压宽供电电源下,光电开关电路难以正常工作的问题。电路结构简单,并适用于高供电电源的光电开关。 相似文献
35.
ESD对微电子器件造成潜在性失效的研究综述 总被引:1,自引:0,他引:1
静电放电(ESD)潜在性失效问题是当前微电子工业面临的可靠性问题之一,并且越来越引起人们的重视。国内外学者在微电子器件ESD潜在性失效的检测及探讨失效机理方面的研究取得了较大的进展。研究表明:MOS电路等微电子器件,在ESD作用下确实存在潜在性失效问题。因此,开展ESD潜在性失效研究具有重要意义。 相似文献
36.
视准式光学系统瞄准具的成像有主像和副像两种情形,主像是对目标瞄准的必要标志,副像则对目标的瞄准产生不良影响,为消除或减弱光学系统所成的副像对瞄准精度的影响,主要分析了光学系统中中心反射镜的反射和有无平行差时产生副像的原因.提出了消除或减弱副像的多项措施,并针对中心反射镜提出了两种截然相反地改进方法.可有效地消除或减弱副像所引起的不良干扰对飞行人员视觉的影响,有效地提高了观察效果和瞄准精度. 相似文献
37.
电磁辐射对桥丝式电火工品性能影响研究 总被引:1,自引:0,他引:1
利用传导方法研究射频对桥丝式电火工品的桥丝电阻、烤爆、迟发火以及瞎火等性能影响。研究结果表明,在10%发火功率和0.4MHz的敏感频率条件下,所研究的3种电火工品在照射1~5min后,电阻增加1.2%~7.4%,并且17.3%的试样在照射的过程中出现了烤爆;在对经过照射后的试样进行正常的发火感度试验中,发火时间显著增加,出现了不同程度的迟发火,16.9%的试样瞎火。 相似文献
38.
工程陶瓷表面粗糙度与图像纹理特征关系 总被引:1,自引:0,他引:1
为描述陶瓷磨削表面纹理特征与粗糙度的相互关系,实现快速评定和预测陶瓷磨削加工表面粗糙度,运用灰度共生矩阵对表面纹理特征进行提取和分析。根据采样点间距、灰度级随特征值的变化曲线确定灰度共生矩阵影响因素,按4个方向建立灰度共生矩阵并计算所有纹理特征参数均值。通过分析特征参数间相关性,确定4个参数为陶瓷磨削表面纹理主要特征参数。该参数与表面粗糙度的变化规律,可以反映陶瓷磨削表面粗糙度,进而评估磨削加工质量与可靠性。 相似文献
39.
40.
研究氮化镓(GaN)功率器件及其辐射效应对于解决空间应用需求、促进新一代航天器建设具有重大意义。介绍了GaN功率器件的主要结构及工作原理,综述了近年来国内外在GaN功率器件的总剂量效应和单粒子效应两方面的研究进展,并对辐射效应在GaN功率器件中造成的退化和损伤机制进行分析与讨论。研究结果显示:GaN功率器件具有较强的抗总剂量能力,但是抗单粒子能力较弱,易发生漏电和单粒子烧毁,且烧毁点多发生在栅极边缘的漏侧。对GaN功率器件辐照损伤机理的研究缺乏权威理论,有待进一步探索,为其空间应用提供理论支撑。目前,平面结构的GaN功率器件是主流的技术方案,单片集成及高频小型化是GaN功率器件未来发展的方向。 相似文献